Cказочница....silentium amoris
Для оценки близости комплексных сопротивлений к «чистым» реактивностям (чистой индуктивности или чистой емкости) используют понятия добротность Q и тангенс угла потерь tg δ. Чем больше численное значение добротности Q
(или чем меньше tg δ
, тем ближе комплексное сопротивление к идеальной реактивности. Например, для эквивалентной схемы комплексного сопротивления индуктивного характера (см. рис. 2.14, а),чем больше значение добротности Q(или, чем меньше значение tg δ, тем ближе комплексное сопротивление к идеальной индуктивности.
Для последовательных эквивалентных схем (как, например, на рис. 2.14, а и б)добротность Q определяется отношением реактивной
Xсоставляющей комплексного сопротивления к его активной Rсоставляющей Q = Х/R. При этом тангенс угла потерь есть обратная величина tg δ = 1/Q = R/Х.
Напомним, что реактивное сопротивление индуктивности ХL
= jwL а для емкости ХC= 1 / jwC.
Для параллельных эквивалентных схем (как, например, на рис. 2.14, в)добротность Qопределяется отношением активной составляющей комплексного сопротивления к его реактивной составляющей
Q = R/Х.
При этом тангенс угла потерь также есть обратная величина tg δ = 1/Q
= Х/R.
Отметим, что значения добротности Q
и тангенса угла потерь не являются постоянными параметрами комплексного сопротивления, а зависят от частоты ω напряжения (или тока).
(или чем меньше tg δ
, тем ближе комплексное сопротивление к идеальной реактивности. Например, для эквивалентной схемы комплексного сопротивления индуктивного характера (см. рис. 2.14, а),чем больше значение добротности Q(или, чем меньше значение tg δ, тем ближе комплексное сопротивление к идеальной индуктивности.Для последовательных эквивалентных схем (как, например, на рис. 2.14, а и б)добротность Q определяется отношением реактивной
Xсоставляющей комплексного сопротивления к его активной Rсоставляющей Q = Х/R. При этом тангенс угла потерь есть обратная величина tg δ = 1/Q = R/Х.
Напомним, что реактивное сопротивление индуктивности ХL
= jwL а для емкости ХC= 1 / jwC.
Для параллельных эквивалентных схем (как, например, на рис. 2.14, в)добротность Qопределяется отношением активной составляющей комплексного сопротивления к его реактивной составляющей
Q = R/Х.
При этом тангенс угла потерь также есть обратная величина tg δ = 1/Q
= Х/R.
Отметим, что значения добротности Q
и тангенса угла потерь не являются постоянными параметрами комплексного сопротивления, а зависят от частоты ω напряжения (или тока).